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1. 管線:该器件采用0.13微米工艺构造,可以作为无等待同步SRAM或者标准的同步SRAM, 工作电压有2.5V及3.3V,可选管线(Pipelined)或涌流(Flow-through)结构,具有JTAG边界扫描功能.
多通过句子记忆单词,而不是单独死记硬背。